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Diplomarbeit

Tunnelmagnetwiderstand (TMR) mit amorphen Elektroden

Der Tunnelmagnetwiderstand (TMR) wird sowohl experimentell als auch theoretisch intensiv untersucht, da er in Leseköpfen von Festplatten und in magnetischen Speichersystemen interessante Anwendungen findet. Das Ziel dieser Arbeit war es den Einfluss von struktureller Unordnung auf den Tunnelmagnetwiderstand in Systemen von Eisen/MgO/Eisen zu untersuchen. Gleichzeitig wurde die endliche Dicke der magnetischen Eisenlage berücksichtigt.

Die numerischen Methoden, die zur Anwendung kamen, waren ein selber geschriebener Monte-Carlo Algorithmus für die Struktursimulationen, die ab initio Kohn, Korringa und Rostoker Methoden zur Berechnung der elektronischen Eigenschaften und die Leitfähigkeitsberechnung nach Baranger und Stone.

Es konnte gezeigt werden, dass strukturelle Unordnung den TMR-Effekt drastisch reduziert, aber zwei zusätzliche Monolagen kristallinen Eisens ausreichen, um den TMR-Effekt für ein ideal kristallines System zu erhalten.

Diplomarbeit
Diplomarbeit_Gradhand.pdf (1,4 MB)  vom 08.02.2010

Vortrag zur Diplomarbeit
Diplomvortrag_Gradhand.pdf (2,1 MB)  vom 08.02.2010

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